DI-UMONS : Dépôt institutionnel de l’université de Mons

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(titres de publication, de périodique et noms de colloque inclus)
2006-08-01 - Article/Dans un journal avec peer-review - Anglais - 1 page(s)

Surin Mathieu , Leclère Philippe , Lazzaroni Roberto , Yuen J.D., Wang G., Moses D., Heeger A.J., Lee K., "Relationship between the Microscopic Morphology and the Charge Transport Properties in Poly(3-hexylthiophene) Field-Effect Transistors" in Journal of Applied Physics, 100, 3, 033712

  • Edition : American Institute of Physics, Melville (NY)
  • Codes CREF : Physico-chimie générale (DI1320), Chimie structurale (DI1317), Physique de l'état condense [struct., électronique, etc.] (DI1266)
  • Unités de recherche UMONS : Chimie des matériaux nouveaux (S817)
  • Instituts UMONS : Institut de Recherche en Science et Ingénierie des Matériaux (Matériaux)
Texte intégral :

Abstract(s) :

(Anglais) We fabricate field-effect transistors (FETs) by depositing a regioregular poly(3-hexylthiophene) (RR-P3HT) active layer via different preparation methods. The solvent used in the polymer film deposition and the deposition technique determine the film microstructure, which ranges from amorphous or granular films to a well-defined fibrillar texture. The crystalline ordering of RR-P3HT into fibrillar structures appears to lead to optimal FET performances, suggesting that fibrils act as efficient “conduits” for the charge carrier transport. Treating the silicon oxide gate insulator with hexamethyldisilazane enhanced the FET performance.

Identifiants :
  • ISSN : 0021-8979
  • DOI : 10.1063/1.2222065