DI-UMONS : Dépôt institutionnel de l’université de Mons

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(titres de publication, de périodique et noms de colloque inclus)
2008-04-01 - Article/Dans un journal avec peer-review - Anglais - page(s)

Serban D.A., Kilchytska V., Vlad A., Martin-Hoyas A., Nysten B., Jonas A.M., Geerts Yves, Lazzaroni Roberto , Bayot V., Flandre D., Melinte S., "Low-Power Dihexylquaterthiophene-Based Thin Film Transistors for Analog Applications" in Applied Physics Letters, 92, 14, 143503

  • Edition : American Institute of Physics, Melville (NY)
  • Codes CREF : Chimie quantique (DI1321), Optique (DI1250)
  • Unités de recherche UMONS : Chimie des matériaux nouveaux (S817)
  • Instituts UMONS : Institut de Recherche en Science et Ingénierie des Matériaux (Matériaux)
Texte intégral :

Abstract(s) :

(Anglais) We have optimized dihexylquaterthiophene-based thin film transistors for low-power consumption and have studied their characteristics for potential introduction in analog circuits. Bottom-gate devices with Pd source and drain electrodes have been fabricated by employing different gate dielectrics. Transistors with very thin («10 nm) silicon oxynitride dielectrics display subthreshold swing values below 100 mV/decade, cutoff frequencies approaching the kilohertz range and intrinsic gain around 45 dB, suggesting that they are promising candidates for low-power analog integration.

Notes :
  • (Anglais) Publié en ligne le 9 avril 2008
Identifiants :
  • DOI : 10.1063/1.2904963